“现有产能背景下，供需缺口仍然存在，可能有一半以上企业订单完成率不到75%，”一位国内头部功率半导体厂商人士对记者表示。

国内IGBT（绝缘栅双极型晶体管）需求持续火热，未见任何降温趋势。近期，不少IGBT头部企业相继宣布投建新产能，以应对订单积压。有机构近日调查也显示，在车规、光伏以及工控三大应用领域，均有超过四成企业下半年酝酿提价。

普遍存在订单积压问题

IGBT是电源转换的核心器件，由双极型三极管和MOSFET组成，适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统。IGBT是新能源与节能低碳经济的主要支撑技术，具有开关速度快、载流密度大等特点。IGBT广泛用于新能源汽车、光伏以及智能制造领域，而以上均为当下炙手可热的赛道，今年以来供需关系持续紧张。

除了下游需求旺盛以外，另一因素也不容忽视。“今年出现的缺芯潮在一定程度上加快了国产化替代，”上述半导体厂商人士认为。他表示，在供给不顺畅时，下游客户尝试将订单给予国内IGBT厂商的意愿变强。

目前，全球IGBT市场格局主要由英飞凌、安森美、意法半导体、富士电机、三菱电机等海外功率半导体厂商主导，尤其在中高端市场。在缺芯潮影响下，国产IGBT产品进入国内客户的机会涌现。

订单饱满也反映在国内IGBT公司上半年业绩中，已披露业绩预告的IGBT公司盈利均大幅增长。其中，斯达半导上半年净利润3.4-3.5亿元，同比增长120.8%-127.29%；振华科技净利润预计11.8亿-13.3亿元，同比也增长128.96%-158.06%；而扬杰科技也实现了50%-80%净利润增长。

值得注意的是，IGBT供需紧张的局面短期扭转可能性并不大。天风证券近日对国内25家IGBT企业作出调查。调查显示，在车规领域，55%的企业订单完成率不足75%；在光伏领域，65%的厂商订单完成率不足75%。IGBT行业内普遍存在订单积压问题，现有产能仍无法满足市场整体需求。

供需关系紧张意味着价格或会迎来上涨。天风证券调查同时显示，未来1年内，有42%的厂商表示会提高车规级IGBT产品价格，同时有40%的国内厂商预计未来一年光伏级IGBT模块产品价格将提高，50%的国内厂商预计未来一年毛利率将提高。而在工控端，有42%的国内厂商和57%的外资厂商预计未来一年价格将提高。

产能扩张在路上

无论从供需关系还是价格预期看，IGBT赛道背后均有较大增量空间。中信证券认为，2025年全球IGBT市场规模有望达954亿元、2020-2025年复合增速为16%。而国内IGBT市场规模达458亿元、2020-2025年复合增速达21%。该机构也认为，供需失衡将会贯穿全年，海外厂商扩产普遍谨慎、产能增量有限，看好新能源驱动IGBT需求快速增长，自产化率快速提升。

而在价格预期变化的同时，另一个解决方法也值得关注，即扩张产能。近期，国内包括士兰微、振华科技、时代电气等头部企业已经纷纷走在产能扩张的路上。

士兰微7月29日发布公告称，公司子公司士兰明镓已启动化合物半导体第二期建设，即实施“SiC功率器件生产线建设项目”。士兰明镓将建设一条6英寸SiC功率器件芯片生产线，项目总投资为15亿元，建设周期3年，最终形成年产14.4万片6英寸SiC功率器件芯片的产能。

在2021年底，士兰明镓已完成第一期20亿元的投资，并形成了每月7.2万片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的产能，其产品在小间距显示、MiniLED显示屏、红外光耦、安防监控、车用LED等领域得到广泛应用。

时代电气近期也宣布拟投入4.62亿升级碳化硅产线。项目建成达产后，将把该公司现有的平面栅碳化硅MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅碳化硅MOSFET芯片研发能力，现有4英寸碳化硅芯片线将提升到6英寸碳化硅芯片线，产能也将从1万片/年提升到2.5万片/年。目前，该公司IGBT一期设计年产能12万片；IGBT二期产线，设计年产能24万片，自2021年年底正式投产以来，今年初开始增产爬坡。

而振华科技也在今年4月宣布拟募资25.18亿元，投向半导体功率器件产能提升项目等。据悉，半导体功率器件产能提升项目将建设一条12万片/年产能的6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造线。

天风证券调查也显示，车规IGBT下游需求旺盛，67%大陆厂商计划扩张车规级IGBT模块产线。而在双碳政策驱动下，40%大陆厂商计划扩张光伏级IGBT模块产线。